32Gb、400MB/s带宽！江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布
快科技2月2日消息，日前，继自研SLC NAND Flash系列产品规模化量产后，江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式发布。 该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上。 江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。 据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。 在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。 目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。 值得一提的是，江波龙除了在NAND Flash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。 据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。 江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力。 获取更多RSS：https://feedx.net https://feedx.run
快科技2月2日消息，日前，继自研SLC NAND Flash系列产品规模化量产后，江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式发布。
该产品采用BGA132封装，支持Toggle DDR模式，数据访问带宽可达400MB/s，将有望应用于eMMC、SSD等产品上。
江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。
据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。
在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。
目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。
值得一提的是，江波龙除了在NAND Flash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。
据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。
江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力。
